ASML给出的建议就是7nm工艺就要导入EUV光刻机,7nm EUV要比7nm DUV成本低一些。
台积电、三星在7nm,英特尔在自身标准10nm,都还是***用DUVi光刻机,不过那也是本来要发展的技术节点。
台积电也有N7+,就是7nm EUV。
不管是华为,还是中芯国际,都没有必要用DUVi光刻机硬搞5nm。
本身中国大陆的DUVi光刻机就数量有限,产能供不应求,优先提高7nm性能和良品率才是当务之急。
用数学补物理,非摩尔补摩尔,用群计算补单芯片。
任正非…。
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ASML给出的建议就是7nm工艺就要导入EUV光刻机,7nm EUV要比7nm DUV成本低一些。
台积电、三星在7nm,英特尔在自身标准10nm,都还是***用DUVi光刻机,不过那也是本来要发展的技术节点。
台积电也有N7+,就是7nm EUV。
不管是华为,还是中芯国际,都没有必要用DUVi光刻机硬搞5nm。
本身中国大陆的DUVi光刻机就数量有限,产能供不应求,优先提高7nm性能和良品率才是当务之急。
用数学补物理,非摩尔补摩尔,用群计算补单芯片。
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